Diferència entre les revisions de "Memòria flaix"
m Text reemplaça - 'només' a 'a soles' |
Sense resum d'edició |
||
| (No es mostra una edició intermija d'un usuari) | |||
| Llínea 3: | Llínea 3: | ||
La '''memòria flaix''' —derivada de la memòria [[EEPROM]]— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació. | La '''memòria flaix''' —derivada de la memòria [[EEPROM]]— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació. | ||
Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que a soles permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]]. | Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que a soles permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]]. | ||
[[Categoria:Tecnologia]] | [[Categoria:Tecnologia]] | ||
Última revisió del 19:52 24 feb 2026
La memòria flaix —derivada de la memòria EEPROM— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació.
Gràcies a això, la tecnologia flaix, sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que a soles permetia actuar sobre una única cela de memòria en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats memòria USB.