Diferència entre les revisions de "Memòria flaix"

m
 
(No se mostra una edició intermija del mateix usuari)
Llínea 3: Llínea 3:
 
La '''memòria flaix''' —derivada de la memòria [[EEPROM]]— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació.
 
La '''memòria flaix''' —derivada de la memòria [[EEPROM]]— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació.
  
Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que només permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]].
+
Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que a soles permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]].
  
  

Última revisió del 15:21 30 abr 2025

Una memòria USB: el chip de l'esquerra és la memòria flaix; el controlador està a la dreta.

La memòria flaix —derivada de la memòria EEPROM— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació.

Gràcies a això, la tecnologia flaix, sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que a soles permetia actuar sobre una única cela de memòria en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats memòria USB.