Diferència entre les revisions de "Memòria flaix"
mSense resum d'edició |
Sense resum d'edició |
||
| (No es mostren 2 edicions intermiges d'un usuari) | |||
| Llínea 3: | Llínea 3: | ||
La '''memòria flaix''' —derivada de la memòria [[EEPROM]]— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació. | La '''memòria flaix''' —derivada de la memòria [[EEPROM]]— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació. | ||
Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que | Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que a soles permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]]. | ||
[[Categoria:Tecnologia]] | [[Categoria:Tecnologia]] | ||