Diferència entre les revisions de "Memòria flaix"
Pàgina nova, en el contingut: «thumb|right|Una [[memòria USB: el chip de l'esquerra és la memòria flaix; el controlador està a...» |
mSense resum d'edició |
||
| Llínea 5: | Llínea 5: | ||
Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que només permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]]. | Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que només permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]]. | ||
[[Categoria:Tecnologia]] | |||
[[Categoria:Informàtica]] | |||
[[Categoria:Hardware]] | |||
[[Categoria:Almagasenament informàtic]] | [[Categoria:Almagasenament informàtic]] | ||
[[Categoria:Almagasenament d'estat sòlit]] | [[Categoria:Almagasenament d'estat sòlit]] | ||
[[Categoria:Memòries no volàtils]] | [[Categoria:Memòries no volàtils]] | ||
Revisió de 19:12 21 oct 2016
La memòria flaix —derivada de la memòria EEPROM— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació.
Gràcies a això, la tecnologia flaix, sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que només permetia actuar sobre una única cela de memòria en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats memòria USB.