Diferència entre les revisions de "Memòria flaix"

Revisió de 19:12 21 oct 2016 editar Jose2 (Discussió \| contribucions) Administradors 158 468 edicions mSense resum d'edició ← Edició anterior		Revisió de 16:52 15 gin 2017 editar desfer Jose2 (Discussió \| contribucions) Administradors 158 468 edicions mSense resum d'edició Edició següent →
Llínea 4:		Llínea 4:

	Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que només permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]].		Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que només permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]].



	[[Categoria:Tecnologia]]		[[Categoria:Tecnologia]]