Diferència entre les revisions de "Memòria flaix"
Anar a la navegació
Anar a la busca
m |
m |
||
| Llínea 4: | Llínea 4: | ||
Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que només permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]]. | Gràcies a això, la tecnologia ''flaix'', sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que només permetia actuar sobre una única [[cela de memòria]] en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats [[memòria USB]]. | ||
| + | |||
| + | |||
[[Categoria:Tecnologia]] | [[Categoria:Tecnologia]] | ||
Revisió de 16:52 15 gin 2017
La memòria flaix —derivada de la memòria EEPROM— permet la llectura i escritura de múltiples posicions de memòria en la mateixa operació.
Gràcies a això, la tecnologia flaix, sempre per mig d'impulsos elèctrics, permet velocitats de funcionament molt superiors front a la tecnologia EEPROM primigènia, que només permetia actuar sobre una única cela de memòria en cada operació de programació. Es tracta de la tecnologia amprada en els dispositius denominats memòria USB.