Arseniuro d'indi
El Arseniuro d'indi(InAs), o monoarseniuro d'indi, és un compost semiconductor format per indi i arsènic.
Este material s'utilisa en detectors d'infrarrojos, en rancs de llongitut d'ona d'1 a 3.8 μm.[1]
Per l'alta movilitat electrònica (de l'orde de 40 000 cm2/(Vs))[2] i al seu baix valor de banda prohibida, s'utilisa en emissors de Radiació terahertz.
També s'utilisa junt en el fosfuro d'indi, per a obtindre un material en una banda prohibida depenent de la proporció d'estos components.
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ Indium Arsenide Detectors [1] archivat en Wayback Machine. Teledyne Judson Technologies
- ↑ InAs - Indium Arsenide, electrical properties
- Este artícul conté una traducció derivada de «Arseniuro de indio» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.