Arseniuro de gali-alumini
El Arseniuro de gali-alumini (AlxGa1-xAs) és un material semiconductor en un paràmetro de ret molt similar al del GaAs, pero en un ample de banda prohibida major. La x en la fòrmula anterior és un número entre 0 i 1 - lo que indica la proporció entre el GaAs i l'Ales.
L'ample del gap oscila entre 1.42 eV (GaAs) i 2.16 eV (Ales). Per a x < 0.4 obtindrem un semiconductor directe.
La fòrmula AlGaAs és un abreujament de l'anterior, i no representa cap proporció en concret.
El arseniuro de gali-alumini s'usa com a material de barrera en les heteroestructuras de GaAs. Esta capa concentra els electrons en una zona composta per arseniuro de gali. Un eixemple d'us d'estes estructures és en els fotodetectores infrarrojos de pous quàntics (QWIP).
Este semiconductor es va usar per a convertir per primera volta la llum en un supersolido (estat d'agregació en propietats d'un sòlit i líquit) encara que per un curt temps.
Referències
[editar | editar còdic]- Este artícul conté una traducció derivada de «Arseniuro de galio-aluminio» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.