Electromigración

La electromigración és el transport de material causat pel moviment gradual dels ions en un conductor per la transferència de cantitat de moviment entre els electrons de conducció i els àtoms del metal. L'efecte de la electromigración és important en aplicacions a on s'utilisen densitat de corrent altes, com en la microelectrónica i en estructures relacionades. Com el tamany de l'estructura en els dispositius electrònics i en els circuits integrats és molt menut, la pèrdua de material deguda a la electromigración és d'importància. Molta gent creu que la electromigración és la "migració d'electrons" pero en realitat és el material que "migra" per causa d'un fluix d'electrons, per això es diu electromigración.

Archiu:Leiterbahn ausfallort elektromigration.jpg

Image SEM de la falla causada per la electromigración en una interconexió de coure.

La electromigración és un fenomen que depén de la temperatura de servici i de la densitat de corrent que circula pel semiconductor. La electromigración ocorre solament en zones a on el semiconductor està dopat.

Història

El fenomen de la electromigración ha segut conegut per més de 100 anys, i va ser descobert pel científic Francés Gerardin [1]. El concepte es va convertir en alguna cosa interessant, des del punt de vista pràctic, en 1966 quan varen eixir els primers circuits integrats comercials. Un pioner en l'investigació en este camp va ser James R. Black, qui va assentar les bases per a tota l'investigació en esta àrea i per quí va ser nomenada l'equació de Black. En eixe temps, les interconexions metàliques en circuits integrats eren aproximadament de 10 Micrómetros d'ample. Les interconexions actuals són de només dècimes de Nanómetros d'ample, fent que l'investigació de la electromigración siga molt important.