Telururo d'estany
El telururo d'estany és un compost d'estany i telur (SnTe); és un semiconductor de banda estreta IV-VI i té una banda directa de 0,18 eV. A sovint es alea en plom per a fabricar telururo de plom i estany, que s'utilisa com a material detector de infrarrojos.
El telururo d'estany forma normalment un semiconductor de tipo p (semiconductor extrínseco) per les vacants d'estany i és un superconductor de baixa temperatura.[1]
El SnTe existix en tres fases cristalines. A baixes temperatures, quan la concentració de portadors de buits és inferior a 1,5x1020 cm-3 , el telururo d'estany existix en la fase romboèdrica també coneguda com α-SnTe. A temperatura ambiente i pressió atmosfèrica, el telururo d'estany existix en una fase cristalina cúbica similar al NaCl, coneguda com β-SnTe. Mentres que a 18 kbar de pressió, el β-SnTe es transforma en γ-SnTe, fase ortorrómbica, grup espacial Pnma.[2] Este canvi de fase es caracterisa per un aument del 11% en la densitat i del 360% en la resistència per a el γ-SnTe.[3]
El telururo d'estany és un material termoelèctric. Els estudis teòrics indiquen que el rendiment del tipo n pot ser especialment bo.[4]
Propietats tèrmiques
[editar | editar còdic]- Entalpia estàndar de formació: - 14,6 ± 0,3 kcal/ mol a 298 K
- Entalpia estàndar de sublimació: 52,1 ± 1,4 kcal/ mol a 298 K
- Capacitat calorífica: 12,1 + 2,1 x 10-3 T calç/deg
- Energia de dissociació d'enllaç per a la reacció SnTe(g)-> n(g)+ Et(g): 80,6 ± 1,5 kcal/ mol a 298 K
- Entropía: 24,2±0,1 calç/ mol.deg
- Entalpia de dimerización per a la reacció Sn2Et2->2SnTe(g) :46.9 ± 6.0 kcal/mol [5]
Aplicacions
[editar | editar còdic]Generalment, el Pb es alea en el SnTe per a obtindre propietats òptiques i electròniques interessants. Ademés, com a resultat del confinament quàntic, la separació de bandes del SnTe aumenta més allà de la separació de bandes del material en bruto, cobrint el ranc de llongituts d'ona del infrarrojo mig. El material aleado s'ha utilisat en fotodetectores de IR mig[6]i en generadors termoelèctrics.[7]
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ “Critical Magnetic Fields of Superconducting SnTe” (1969). Physical Review 179 (2): 497. doi:. Bibcode: 1969PhRv..179..497H.
- ↑ (1998) «Tin telluride (Sn Et) crystal structure, lattice parameters», Senar-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I (vol. 41C), pp. 1–8. doi:10.1007/10681727_862. ISBN 978-3-540-64583-2.
- ↑ Kafalas, J. A.; Mariano, A. N., High-Pressure Phase Transition in Tin Telluride. Science 1964, 143 (3609), 952-952
- ↑ “THERMOPOWER OF SnTe FROM BOLTZMANN TRANSPORT CALCULATIONS” (2010). Functional Materials Letters 03 (4): 223–226. doi:.
- ↑ Colin, R.; Drowart, J., Thermodynamic study of tin selenide and tin telluride using a mass spectrometer. Transactions of the Faraday Society 1964, 60 (0), 673-683, DOI: 10.1039/TF9646000673.
- ↑ Lovett, D. R. Semimetals and narrow-bandgap semiconductors; Pion Limited: London, 1977; Chapter 7.
- ↑ Dones, V. D.; Bahulayan, C., Variation of electrical transport properties and thermoelectric figure of merit with thickness in 1% excess Et-doped Pb 0.2 Sn 0.8 Et thin films. Semiconductor Science and Technology 1995, 10 (12), 1638.
- Este artícul conté una traducció derivada de «Telururo de estaño» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.