Història del transistor
Varis historiadors de la tecnologia consideren al transistor com "el major invent del sigle XX".És el dispositiu electrònic bàsic que va donar lloc als circuits integrats i demés elements. Si el XIX es basa en la màquina de vapor de James Watt, pot dir-se que l'era de les comunicacions s'ha basat en el transistor.
Objectius inicials
[editar | editar còdic]El transistor és un dispositiu de tres terminals que sorgix en els parcs o Laboratoris Bell de la AT&T. Es buscava un commutador d'estat sòlit per a ser utilisat en telefonia i per a reemplaçar tant als relés com als sistemes de barres. Després es contempla la possibilitat d'obtindre la tongada de la vàlvula (o tubo) de buit.
Quentin Kaiser va escriure: "Si no haguera segut pel microones o el radar d'UHF, provablement mai haguérem tingut la necessitat de detectors de cristal. Si no haguérem obtingut detectors de cristal, provablement no hauríem tingut el transistor, llevat que haguera segut desenrollat d'algun modo completament diferent".
Antecedents físics
[editar | editar còdic]| Any | Tecnologia | Organisació |
|---|---|---|
| 1947 | Transistor de contacte | Bell Labs |
| 1948 | Transistor d'unió cristalina | Bell Labs |
| 1951 | Transistor d'aleació | General Electric |
| 1953 | Transistor de barrera superficial | Philco |
| 1953 | JFET | Bell Labs |
| 1954 | Transistor de difusió | Bell Labs |
| 1954 | Transistor tipo taula | Bell Labs |
| 1959 | Transistor planar | Fairchild |
| 1959 | MOSFET | Bell Labs |
Se sabia que el contacte entre un aram metàlic i la galena (sulfur de plom II) permetia el pas de corrent en una sola direcció, tal com ho varen revelar els treballs de Carl Ferdinand Braun. El radar, per una atra part, en amprar freqüències elevades, devia utilisar un detector eficaç, en molt poca capacitat elèctrica, per lo que no era convenient l'us dels diodos de buit. El diodo d'estat sòlit era essencial per a eixa finalitat. En la década dels quaranta estava complet l'estudi teòric dels contactes semiconductor-metal.
Un dels inventors del transistor, Walter Brattain, va escriure: "Cap en la professió estava segur de l'analogia entre un rectificador d'òxit de coure i un tubo diodo de buit i molts tenien l'idea de cóm conseguir posar una reixeta, un tercer electrodo, per a fer un amplificador".
Per a modificar la conductivitat d'alguns semiconductorés, es va tindre en conte els nivelles d'energia quantificats dels àtoms, que donen lloc a les bandes d'energia quan existixen àtoms distribuïts regularment. L'estudi del moviment dels electrons en estes bandes, va entrevore la possibilitat de canviar la conductivitat elèctrica d'alguns semiconductors agregant impurees controlades adequadament, sorgint aixina els materials de tipo N i de tipo P.[1]
Vore també
[editar | editar còdic]Referències
[editar | editar còdic]- ↑ "Revolució en miniatura" de E. Braun i S. MacDonald - Fundesco i Editorial Tecnos SA
Bibliografia
[editar | editar còdic]- “Revolució en miniatura” L'història de l'impacte de l'electrònica del semiconductor – Autors: E. Braun i S. Macdonald – Fundesco i Editorial Tecnos SA – 1986
- “Electrons, ones i mensages” – Autor: John R. Pierce – EUDEBA – 1968
- “Senyals” La ciència de les Telecomunicacions – Autors: John R. Pierce i A. Michael Noll – Editorial Reverté SA – 1995
- “Els Silicon Boys” – Autor: David A. Kaplan – EMECE Editors – 1999
- “Electrònica quàntica” Lo fonamental sobre transistors i rajos làser– Autor: John R. Pierce – EUDEBA – 1966
Referències
[editar | editar còdic]
- Este artícul conté una traducció derivada de «Historia del transistor» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.