Nanolitografía

Archiu:ClassicDPN mech.png

Nanolitografía

Archiu:ClassicDPN mech.png

Mecanisme clàssic de DPN: Tinta molecular que es difon des d'una punta a nanoescala fins a una superfície a través d'un menisco d'aigua.

La nanolitografía o litografia a l'escala del nanómetro, es referix a la fabricació de microestructuras en un tamany d'escala que ronda els nanómetros. Açò implica l'existència de patrons litografiados en els que, a lo manco, una de les seues dimensions llongitudinals és del tamany d'àtoms individuals i aproximadament de l'orde de 10 nm. La nanolitografía s'usa durant la fabricació de circuits integrats de semiconductorés o sistemes nanoelectromecánicos, coneguts com Nanoelectromechanical Systems o NEMS.

Litografia òptica

La litografia òptica, que ha segut la tècnica predominant en l'us de patrons des del començ de l'era dels semiconductors, és capaç de produir patrons llaugerament per baix dels 100 nm, usant llongituts d'ona molt curtes (uns 193 nm de manera usual). Este tipo de litografia requerix l'us d'immersió líquida i una multitut de millores en la tecnologia de fotomáscara (tecnologia PSM) ademés de correcció òptica per proximitat (Optical Proximity Correction o OPC) per a aplegar a detalls de l'orde de 32 nm. Existix un sentiment general, entre els experts, en el que s'afirma que baixar a uns nivells de 30 nm per mig de la litografia òptica, no serà comercialment viable^{cita requerida}. En este punt, esta tècnica deurà ser reemplaçada per una nova generació de litografia (Next Generation Lithography o NGL).

Atres tècniques nanolitográficas

La més corrent de les tècniques nanolitográficas és la litografia d'escritura directa per fas d'electrons (Electró Beam Direct Write lithography o EBDW). En esta tècnica, l'us d'un fes d'electrons imprimix un patró, usualment sobre una resina de polímero que s'opon tal com PMMA.

Litografia del ultravioleta extrem (Extreme Ultraviolet lithography o EUV) és una varietat de litografia òptica que usa llongituts d'ona molt curta, de l'orde de 13,5 nm. És la que es denomina normalment com a tècnica NGL

Litografia per partículas carregades, tals com a litografia per ions o proyeccions d'electrons (PREVAIL, SCALPEL, LEEPL). Estes tècniques són capaces de produir patrons de molt alta resolució.

Litografia de nanoimpresión (Nanoimprint Lithography o NIL) i les seues variants, tals com la litografia d'impressió per passos com LISA i LADI. Estes tècniques són tecnologies de replicació de patrons molt prometedores. Poden combinares en l'impressió per contacte

Litografia d'escanege per sonda (Scanning Probe Lithographies o SPL) sembla ser una prometedora ferramenta per a la producció de patrons en l'escala dels nanómetros^{cita requerida}. Per eixemple, els àtoms individuals es poden manipular usant la punta d'un microscopi d'efecte túnel (Scanning Tunneling Microscope o STM). La nanolitografía de descens de sonda és la primera tecnologia comercial de tipo SPL disponible basada en el microscopi de força atòmica.

El desenroll més evolucionat de la NGL continua en la litografia de rajos X, que pot aplegar a estendre's a resolucions de 15 nm per l'us d'una reducció de camp propenc.