Transistor de ADN d'efecte de camp

Un transistor de ADN d'efecte de camp (o DNAFET, de DNA field-effect transistor) és un transistor d'efecte de camp (FET) que utilisa l'efecte de camp generat per les càrregues parcials de les molècules d'ADN per a actuar com un biosensor. L'estructura dels DNAFET és similar a la dels MOSFET, en l'excepció de l'estructura de la porta que, en els DNAFET, és reemplaçada per una capa de molècules de cadenes senzilles de ADN que actuen com a receptors de superfície. Quan les cadenes de el ADN complementari hibridan els receptors, canvia la distribució de la càrrega prop de la superfície, lo que modula el transport en curs a través del transductor semiconductor.

Es poden usar chips de DNAFET per a detectar polimorfisme de nucleòtit simple (que poden causar vàries malalties hereditàries) i para seqüenciació de ADN. La seua principal ventaja en comparació als métodos de detecció òptica d'us comú actualment, és que no requerixen el marcage de molècules. Ademés, treballen contínuament i (casi) en temps real. Els DNAFET són altament selectius, ya que només unions específiques modulen el transport de càrrega.