Trimetilgalio
El TrimetilGalio, (Trimethylgallium), o (TMG), Ga(CH3)3, (número CAS: 1445-79-0) és la font metaloorgánica preferida de gali usada en l'epitaxia organometalica en fase de vapor (MOVPE), el procés de fabricació de composts semiconductors que contenen Gali en diverses formes com, per eixemple, l'Arseniuro de gali GaAs, GaN, GaP, Antimoniuro de gali GaSb, GaInAs, InGaN, AlInGaP, GaInP o AlInGaNP.
El TMG és un líquit de color clar, en punt d'ebullició a 55.7 °C i punt de fusió (o punt de congelació) a -15 °C. El TMG és conegut per ser pirofórico, és dir, que es capciona espontàneament al contacte en l'aire. Inclús les solucions de el TMG en hidrocarburs, quan estan saturades suficientment, se sap que es capcionen espontàneament al contacte en l'aire.
Se sap que el TMG reacciona violentament en l'aigua i atres composts capaços de proporcionar un ion hidrogen actiu lliure (és dir un protón). Per tant, la manipulacionn de el TMG deu fer-se en molt conte i precaució. Per eixemple es deu almagasenar en un lloc fresc i sec entre 0 i 25 °C, en atmòsfera inerte.[1]
Materials relacionats
[editar | editar còdic]- Arseniuro d'alumini (Ales)
- Arseniuro d'indi (InAs)
- Antimoniuro de gali (GaSb)
- Fosfuro de gali (GaP)
- Arseniuro de gali i alumini (AlGaAs)
- Arseniuro d'indi i gali (GaInAs)
- Fosfuro de gali i arsènic (GaAsP)
- Nitrur de gali (GaN)
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ Journal of Crystal Growth (2004); doi:doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007
- Este artícul conté una traducció derivada de «Trimetilgalio» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.