Nitrur d'alumini i gali
El nitrur d'alumini i gali (AlGaN) és un material semiconductor. Es tracta d'una aleació de nitrur d'alumini i nitrur de gali.
La banda prohibida de l'A elxGa1-xN pot variar entre 3,4 eV (xAl=0) i 6,2 eV (xAl=1).[1]
El AlGaN s'utilisa per a fabricar diodos emissors de llum que funcionen en la regió del blau al ultravioleta, a on s'han alcançat llongituts d'ona de fins a 250 nm (UV lluntà) i, segons alguns informes, de fins a 222 nm.[2] També s'utilisa en làsers semiconductors blaus.
També s'utilisa en detectors de radiació ultravioleta i en transistors d'alta movilitat electrònica AlGaN/GaN.
El AlGaN sol utilisar-se junt en el nitrur de gali o el nitrur d'alumini, formant heterouniones.
Les capes de AlGaN solen créixer sobre nitrur de gali, sobre safir o (111) Si, casi sempre en capes adicionals de GaN.
Aspectes de seguritat i toxicitat
[editar | editar còdic]La toxicologia del AlGaN no s'ha investigat a fondo. La pols de AlGaN és irritante per a la pell, els ulls i els pulmons. Recentment s'ha informat en una revisió dels aspectes migambientals, sanitaris i de seguritat de les fonts de nitrur d'alumini i gali (com el trimetilgalio i el amoníac) i dels estudis de control d'higiene industrial de les fonts MOVPE estàndar.[3]
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ Growth and Characterization of Aluminum Gallium Nitride...
- ↑ “222 nm single‐peaked deep‐UV LED with thin AlGaN quàntum well layers” (2009). Physica Status Solidi C 6 (S2): S459–S461. doi:. Bibcode: 2009PSSCR...6S.459N.
- ↑ “Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors” (2004). Journal of Crystal Growth 272 (1–4): 816–821. doi:. Bibcode: 2004JCrGr.272..816S.
- Este artícul conté una traducció derivada de «Nitruro de aluminio y galio» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.