Diferència entre les revisions de "Història de l'electricitat"
| Llínea 404: | Llínea 404: | ||
{{principal|Transistor|Circuit integrat}} | {{principal|Transistor|Circuit integrat}} | ||
[[Archiu:InternalIntegratedCircuit2.JPG|310px|thumb|Detall d'un [[circuit integrat]] ]] | [[Archiu:InternalIntegratedCircuit2.JPG|310px|thumb|Detall d'un [[circuit integrat]] ]] | ||
L'[[electrònica]], que estudia i | L'[[electrònica]], que estudia i ampre sistemes el funcionament dels quals es basa en la conducció i el control del fluix microscòpic dels [[electrons]] o atres partícules carregades elèctricament, començà en el [[díode]] de buit inventat per [[John Ambrose Fleming]] el [[1904]], dispositiu basat en l'[[efecte Edison]]. Amb el temps les [[vàlvula de buit|vàlvules de buit]] s'anaren perfeccionant i millorant, apareixent altres tipus i [[miniaturització|miniaturitzant-se]]. El pas essencial el donà el físic estatunidenc [[Walter Houser Brattain]] (1902-1987), incorporat en 1929 als [[laboratoris Bell]], on fou partícip juntament amb [[John Bardeen]] (1908-1991) -incorporat el 1945- i [[William Bradford Shockley]] de l'invent d'un chicotet dispositiu electrònic [[semiconductor]] que complia funcions d'[[Amplificador electrònic |amplificador]], [[oscil·lador]], [[Commutador elèctric|commutador]] o [[rectificador]]: el [[transistor]]. La paraula elegida per denominar-lo és la contracció anglesa de ''transfer resistor'' (resistència de transferència). Substitut de la [[vàlvula al buit|vàlvula termoiònica]] de tres elèctrodes o [[tríode]], el primer [[transistor]] de puntes de contacte funcionà al decembre del [[1947]]; s'anuncià per primera vegada el 1948 pero no s'acabà de fabricar fins al [[1952]], després de conseguir construir un dispositiu en [[germani]] el [[4 de juliol]] del [[1951]], culminant així el seu desenroll. El [[transistor d'unió bipolar]] aparegué una mica més tart, el [[1949]], i és el dispositiu utilisat actualment per la majoria de les aplicacions electròniques. Els seus aventages respecte a les vàlvules són entre atres menor mida i fragilitat, major rendiment energètic, menors tensions d'alimentació i consum d'energia. El transistor no funciona en buit com les vàlvules, sino en un estat sòlit semiconductor (silici), motiu pel qual no necessiten centenars de volts de tensió per funcionar. | ||
El transistor ha contribuït, com cap | El transistor ha contribuït, com cap atra invenció, al gran desenroll actual de l'[[electrònica]] i la [[informàtica]], sent utilisat comercialment en tot tipo d'aparells electrònics, tant domèstics com industrials. La primera aplicació d'estos dispositius es féu en els [[audiòfon]]s. Pel seu treball en els semiconductors i pel descobriment del transistor, Walter Houser Brattain compartí en Shockley i Bardeen el [[1956]] el [[Premi Nobel de Física]].<ref>[http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/brattain-bio.html Biografia de Walter Houser Brattain] (en inglés).nobelprize.org [21-05-2008]</ref> | ||
La construcció de [[circuit electrònic|circuits electrònics]] permeté resoldre molts problemes pràctics (control, processament i distribució d'informació, conversió i distribució de l'energia elèctrica, etc.). El [[1958]] es | La construcció de [[circuit electrònic|circuits electrònics]] permeté resoldre molts problemes pràctics (control, processament i distribució d'informació, conversió i distribució de l'energia elèctrica, etc.). El [[1958]] es desenrollà el primer [[circuit integrat]], que integrava sis transistors en un únic [[Circuit integrat |xip]], i el 1970 es desenrollà el primer [[microprocessador]] ([[Intel 4004]]). | ||
Actualment, els camps de | Actualment, els camps de desenroll de l'electrònica són tan bastos que s'ha dividit en diverses ciències especialisades, partint de la distinció entre [[electrònica analògica]] i [[electrònica digital]]; i en els camps de l'[[ingenieria electrònica]], l'[[electromecànica]], la [[informàtica]] (disseny de [[programari]] pel seu control), l'[[electrònica de control]], les [[telecomunicacions]] i l'[[electrònica de potència]].<ref> González Gómez, Juan [http://www.iearobotics.com/personal/juan/docencia/apuntes-ssdd-0.3.7.pdf Circuits i sistemes digitals] Universitat Pontifícia de Salamanca Madrid. [24-05-2008]</ref> | ||
El [[1951]] Bardeen, un dels dissenyadors del transistor, ingressà en la [[Universitat d'Illinois]], nomenant assistent personal el físic [[Nick Holonyak]], el qual posteriorment dissenyaria el primer [[ | El [[1951]] Bardeen, un dels dissenyadors del transistor, ingressà en la [[Universitat d'Illinois]], nomenant assistent personal el físic [[Nick Holonyak]], el qual posteriorment dissenyaria el primer [[diodo LED]] el [[1962]]. Treballà juntament en [[Leon N. Cooper]] i [[John Robert Schrieffer]] per crear la teoria estàndart de la [[superconductivitat]], és a dir, la desaparició de la resistència elèctrica en certs metals i aliatges a temperatures propenques al [[zero absolut]]. Per estos treballs compartí de nou, el [[1972]], el [[Premi Nobel de Física]] amb els físics estatunidencs [[Leon N. Cooper]] i [[John R. Schrieffer]]. Això féu que ell fos el primer científic que guanyà dos premis Nobel en la mateixa disciplina.<ref>Martinez Domínguez. Fernando[http://www.webcitation.org/query?id=1256589243614137&url=www.geocities.com/SiliconValley/Program/7735/ Biografia de Jonh Bardeen] Història de l'electricitat. [21-”5-2008]</ref> Les aplicacions de la superconductivitat estan encara en les primeres fases del seu desenroll, pero ya han permès els [[electroimants]] més poderosos (que s'utilitzen en el [[tren Maglev]], [[ressonància magnètica nuclear]] i [[acceleradors de partícules]]); [[circuit digital|circuits digitals]] i filtres de [[radiofreqüència]] i [[microones]] per estacions base de [[telefonia mòbil]]; o els [[magnetòmetre]]s més sensibles ([[efecte Josephson|unions Josephson]], dels [[SQUID]]s -dispositius superconductors d'interferència quàntica-). | ||
=== El repte de la generació d'electricitat === | === El repte de la generació d'electricitat === | ||